- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت BSP149H6327
BSP149H6327 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | BSP149H6327 |
|---|---|
| حجم فایل | 71.24 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت BSP149H6327 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies BSP149H6327
- Power Dissipation (Pd): 1.8W
- Drain Source Voltage (Vdss): 200V
- Continuous Drain Current (Id): 660mA
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@400uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.8Ω@10V,660mA
- Package: SOT-223-4
- Manufacturer: Infineon Technologies
